Materials Science Forum

Abkürzung der Fachzeitschrift: MATER SCI FORUM
ISSN: 0255-5476
Verlag: Trans Tech Publications


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Band: 924, Seitenbereich: 184-187
Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices (2018)
Weiße J, Hauck M, Sledziewski T, et al.

Band: 924, Seitenbereich: 277-280
Determination of Performance-Relevant Trapped Charge in 4H Silicon Carbide MOSFETs (2018)
Rasinger F, Pobegen G, Aichinger T, et al.

Band: 924, Seitenbereich: 245-248
Growth conditions and in situ computed tomography analysis of facetted bulk growth of SiC boules (2018)
Arzig M, Salamon M, Uhlmann N, et al.

Band: 897, Seitenbereich: 15-18
3C-sic bulk sublimation growth on CVD hetero-epitaxial seeding layers (2017)
Schuh P, Litrico G, La Via F, et al.

Heftnummer: 897, Seitenbereich: 618-621
Implementation of 4H-SiC PiN-diodes as nearly linear temperature sensors up to 800 K towards SiC multi-sensor integration (2017)
Matthus C, Erlbacher T, Schöfer B, et al.

Heftnummer: 897, Seitenbereich: 622-625
Optimization of 4H-SiC photodiodes as selective UV sensors (2017)
Matthus C, Burenkov A, Erlbacher T

Band: 858, Seitenbereich: 301
Doping of 4H-SiC with group IV elements (2016)
Krieger M, Rühl M, Śledziewski T, et al.

Band: 858, Seitenbereich: 33-36
High temperature solution growth of SiC by the vertical Bridgman method using a metal free Si-C-melt at 2300 °C (2016)
Fahlbusch L, Schöler M, Mattle P, et al.

Band: 858, Seitenbereich: 1032-1035
Ion implanted 4H-SiC UV pin-diodes for solar radiation detection – Simulation and characterization (2016)
Matthus C, Erlbacher T, Burenkov A, et al.

Zuletzt aktualisiert 2016-14-01 um 13:31