Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics

ISSN: 1862-6351
Verlag: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.


Band: 11, Seitenbereich: 1439-1442
Towards X-ray in-situ visualization of ammonothermal crystal growth of nitrides (2014)
Schimmel S, Künecke U, Baser HH, et al.

Heftnummer: 2, Band: 10, Seitenbereich: 180-184
Photoluminescent and storage properties of photostimulable core/shell type silicate nanoparticles (2013)
Osvet A, Batentschuk M, Milde M, et al.

Heftnummer: 10-11, Band: 9, Seitenbereich: 1920-1923
In-situ measurement of thickness-dependent Pendellosung oscillations from a precipitation process in silicon at 650 degrees C (2012)
Will J, Gröschel A, Bergmann C, et al.

Band: 9, Seitenbereich: 436-439
In situ monitoring technologies for ammonthermal reactors (2012)
Alt NS, Meissner E, Schlücker E, et al.

Band: 9, Seitenbereich: 968-971
Ohmic and rectifying contacts on bulk AlN for radiation detector applications (2012)
Erlbacher T, Bickermann M, Kallinger B, et al.

Heftnummer: 3, Band: 8, Seitenbereich: 697--700
Dopant profiles in silicon created by MeV hydrogen implantation: Influence of annealing parameters (2011)
Laven J, Hans Joachim S, Häublein V, et al.

Band: 7, Seitenbereich: 398
Atomic layer deposited aluminum oxide films on graphite and graphene studied by XPS and AFM (2010)
Speck F, Ostler M, Röhrl J, et al.

Heftnummer: 7, Seitenbereich: 2256– 2259
Bending in HVPE grown GaN films: Origin and reduction possibilities (2007)
Paskova T, Becker L, Böttcher T, et al.

Heftnummer: 2, Band: 4, Seitenbereich: 279-287
Optical Landau state mapping with in-plane electric fields (2007)
Karmakar B, Schardt M, Malzer S, et al.

Heftnummer: 3, Band: 3, Seitenbereich: 567-570
Evolution and stability of basal plane dislocations during bulk growth of highly n-type doped versus highly p-type doped 6H-SiC (2006)
Sakwe A, Müller R, Queren D, et al.

Zuletzt aktualisiert 2017-17-05 um 17:04