Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)

CMOS compatible and ultra broadband on-chip SiC frequency comb (SiComb) CMOS compatible and ultra broadband on-chip SiC frequency comb Oct. 1, 2020 - Sept. 30, 2023 Analysis of the growth kinetics during high temperature crystal growth of large area SiC using µ-computed-laminography for the in-situ 3D imaging of the growth interface Oct. 1, 2020 - Sept. 30, 2022 Paving the way for validation of numerical simulations of ammonothermal crystal growth via in situ monitoring technology Aug. 1, 2021 - July 31, 2022 Entwicklung eines Wachstumsprozesses für SiC-Wafer mit Durchmessern größer 10cm unter Anwendung der neuen SiC-Quellenmaterialien Dec. 20, 2018 - June 30, 2021 3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices (CHALLENGE) CHALLENGE Jan. 1, 2017 - Dec. 31, 2020 Quantitative Charakterisierung und Vorhersage von Versetzungsverhalten in hochreinem SiC Jan. 1, 2018 - Dec. 31, 2020 Energieertragsoptimierte Cu (In, Ga) (S,Se) 2-Dünnschichtsolarmodule durch gezielte Steuerung der Ertragsparameter Materialwissenschaftliche Charakterisierung (MYCIGS) Oct. 1, 2017 - Sept. 30, 2020 Analysis of the growth kinetics during high temperature crystal growth of SiC using computed tomography for the in-situ 3D visualization of the growth interface May 1, 2016 - April 30, 2019 In situ Visualisierung des ammonothermalen Kristallisationsprozesses mittels Röntgenmesstechnik FOR 1600: Chemie und Technologie der Ammonothermal-Synthese von Nitriden July 1, 2011 - July 30, 2014 CIS-Qualitätsoffensive Feb. 1, 2010 - Jan. 31, 2013