Sensors Based on 0D Color Centers in SiC
Internally funded project
Start date : 01.10.2021
Project details
Short description
Das Promotionsprojekt wird im Rahmen einer Doktorarbeit am Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bearbeitet.
Ziel der Arbeit ist es Bipolarbauelemente auf 4H-SiC a-Plane Wafern zu entwickeln und charakterisiern, die Quanteneffekte in 0D-Farbzentren (Siliziumvakanzen) funktionalisieren sollen. Dafür werden in den Bipolarbauelementen (z.B. pin-Dioden) gezielt Farbzentren im intrinsischen Gebiet erzeugt, deren optischen Eigenschaften sich durch Anlegen von verschiedenen Spannungen am Bauelement manipulieren lassen. Durch das optische Auslesen können Rückschlüsse auf die in der Umgebung der Vakanz vorherrschenden E-Felder, Ströme und der Temperatur gezogen werden. Dies kann sowohl im Quantencomputing als auch in der Quantensensorik eingesetzt werden.
Scientific Abstract
Abstract (fachliche Beschreibung) des Projektes "Herstellung und Charakterisierung von Bipolarbauelementen auf 4H-SiC a-Plane Wafern zur Funktionalisierung von Siliziumvakanzen für Quantenanwendungen"
