Retrofitting Wide Band Gap Devices to classic Power Modules using Silicon RC Snubbers

Beitrag bei einer Tagung
(Konferenzbeitrag)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Matlok S, Boettcher N, Jahn M, Hörauf P, Erlbacher T, Eckardt B
Jahr der Veröffentlichung: 2019
Sprache: Englisch


Abstract

Parasitic
inductance causes voltage overshoot and oscillations in classic hard-switched commutation
cells and power modules. Newly introduced silicon-based resistive capacitors
(SiRC) can short the switching cell inside the power module itself and thereby
unlink external parasitic inductance. Classic and mechanically robust power
modules are now capable of switching large currents with unlimited turn-on and
turn-off speed. This approach minimizes voltage spikes and remaining
oscillations without use of expensive integrated or external attached pulse
capacitors. Additionally, cutting down switching losses saves chip area, energy
and gains power rating of these SiRC-based power modules.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Erlbacher, Tobias PD Dr.
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Hörauf, Philipp
Lehrstuhl für Leistungselektronik


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)


Zitierweisen

APA:
Matlok, S., Boettcher, N., Jahn, M., Hörauf, P., Erlbacher, T., & Eckardt, B. (2019). Retrofitting Wide Band Gap Devices to classic Power Modules using Silicon RC Snubbers. In Proceedings of the 2019 PCIM Europe. Nürnberg, DE.

MLA:
Matlok, Stefan, et al. "Retrofitting Wide Band Gap Devices to classic Power Modules using Silicon RC Snubbers." Proceedings of the 2019 PCIM Europe, Nürnberg 2019.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-05-08 um 10:35