Bulk growth of SiC

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autor(en): Wellmann P, Müller R, Sakwe A, Künecke U, Hens P, Stockmeier M, Konias K, Hock R, Magerl A, Pons M
Herausgeber: M. Dudley, C.M. Johnson, A.R. Powell, S. Ryu
Zeitschrift: Materials Research Society Symposium - Proceedings
Verlag: Materials Research Society
Jahr der Veröffentlichung: 2008
Band: 1069
Tagungsband: MRS Proceedings / Volume 1069 / 2008
Seitenbereich: 3-14
ISSN: 0272-9172
Sprache: Englisch


Abstract


The paper reviews the basics of SiC bulk growth by the physical vapor transport (PVT) method and discusses current and possible future concepts to improve crystalline quality. In-situ process visualization using x-rays, numerical modeling and advanced doping techniques will be briefly presented which support growth process optimization. The ,,pure" PVT technique will be compared with related developments like the so called Modified-PVT, Continuous-Feeding-PVT, High-Temperature-CVD and Halide-CVD. Special emphasis will be put on dislocation generation and annihilation and concepts to reduce dislocation density during SiC bulk crystal growth. The dislocation study is based on a statistical approach. Rather than following the evolution of a single defect, statistic data which reflect a more global dislocation density evolution are interpreted. In this context a new approach will be presented which relates thermally induced strain during growth and dislocation patterning into networks.


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Hens, Philip
Graduiertenzentrum der FAU
Hock, Rainer Prof. Dr.
Professur für Kristallographie und Strukturphysik
Konias, Katja
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)
Künecke, Ulrike Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)
Magerl, Andreas Prof. Dr.
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik
Wellmann, Peter Prof. Dr.-Ing.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)


Zitierweisen

APA:
Wellmann, P., Müller, R., Sakwe, A., Künecke, U., Hens, P., Stockmeier, M.,... Pons, M. (2008). Bulk growth of SiC. Materials Research Society Symposium - Proceedings, 1069, 3-14. https://dx.doi.org/10.1557/PROC-1069-D01-01

MLA:
Wellmann, Peter, et al. "Bulk growth of SiC." Materials Research Society Symposium - Proceedings 1069 (2008): 3-14.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-20-09 um 13:55

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