Gated Epitaxial Graphene Devices

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Waldmann D, Jobst J, Speck F, Seyller T, Krieger M, Weber HB
Zeitschrift: Materials Science Forum
Verlag: Trans Tech Publications
Jahr der Veröffentlichung: 2012
Band: 717-720
Seitenbereich: 675-678
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752


Abstract

A bottom gate scheme is presented to tune the charge density of epitaxial graphene via a gate voltage while leaving the surface open for further manipulation or investigation. Depending on the doping concentration of the buried gate layer, the temperature and illumination, the bottom gate structure can be operated in two regimes with distinct capacitances. A model is proposed, which quantitatively describes the gate operation. The model is verified by a control experiment with an illuminated gate structure using UV light. Using UV illumination the Schottky capacitor (SC) regime, which provides improved gate efficiency, can be used even at low temperatures. © (2012) Trans Tech Publications.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Jobst, Johannes
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Seyller, Thomas PD Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Speck, Florian
Lehrstuhl für Laserphysik
Waldmann, Daniel
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weber, Heiko B. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


Forschungsbereiche

B Nanoelectronic Materials
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


Zitierweisen

APA:
Waldmann, D., Jobst, J., Speck, F., Seyller, T., Krieger, M., & Weber, H.B. (2012). Gated Epitaxial Graphene Devices. Materials Science Forum, 717-720, 675-678. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.675

MLA:
Waldmann, Daniel, et al. "Gated Epitaxial Graphene Devices." Materials Science Forum 717-720 (2012): 675-678.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-08-06 um 12:08