Generation of void-like structures during hot-hydrogen etching of Si substrates for 3C-SiC epitaxy

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Hens P, Mueller J, Fahlbusch L, Spiecker E, Wellmann P, Spiecker E
Herausgeber: Edouard V. Monakhov, Tamás Hornos and Bengt. G. Svensson
Zeitschrift: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 2011
Band: 679-680
Tagungsband: Materials Science Forum (Volumes 679-680)
Seitenbereich: 127-130
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Sprache: Englisch


Abstract


A new type of void-like structure has been identified in thin 3C-SiC heteroepitaxial layers grown on silicon substrates. Similar surface structures can be found in micrographs published in the literature but have not been addressed so far. We propose a mechanism which explains the formation of these "type II voids" as result of hot-hydrogen etching. Type II voids seem to act as nucleation sites for the well-known faceted voids formed beneath the 3C-SiC layer during seeding (type I voids). Suppression of type II voids by appropriate high temperature cleaning steps therefore reduces the overall density of detrimental type I voids.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Fahlbusch, Lars
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)
Hens, Philip
Graduiertenzentrum der FAU
Spiecker, Erdmann Prof. Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Wellmann, Peter Prof. Dr.-Ing.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials
Interdisziplinäres Zentrum, Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy (CENEM)


Forschungsbereiche

A2 Nanoanalysis and Microscopy
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


Zitierweisen

APA:
Hens, P., Mueller, J., Fahlbusch, L., Spiecker, E., Wellmann, P., & Spiecker, E. (2011). Generation of void-like structures during hot-hydrogen etching of Si substrates for 3C-SiC epitaxy. Materials Science Forum, 679-680, 127-130. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.127

MLA:
Hens, Philip, et al. "Generation of void-like structures during hot-hydrogen etching of Si substrates for 3C-SiC epitaxy." Materials Science Forum 679-680 (2011): 127-130.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-29-05 um 08:46