Contribution of the buffer layer to Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC(0001)

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Fromm F, Oliveira MH, Molina-Sanchez A, Hundhausen M, Lopes JMJ, Riechert H, Wirtz L, Seyller T
Zeitschrift: New Journal of Physics
Verlag: Institute of Physics: Open Access Journals / Institute of Physics (IoP) and Deutsche Physikalische Gesellschaft
Jahr der Veröffentlichung: 2013
Band: n/a
Seitenbereich: n/a
ISSN: 1367-2630


Abstract

We report a Raman study of the so-called buffer layer with (6√3 6√3)R30° periodicity which forms the intrinsic interface structure between epitaxial graphene and SiC(0001). We show that this interface structure leads to a non-vanishing signal in the Raman spectrum at frequencies in the range of the D- and G-band of graphene and discuss its shape and intensity. Ab initio phonon calculations reveal that these features can be attributed to the vibrational density of states of the buffer layer.


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Fromm, Felix
Lehrstuhl für Laserphysik
Hundhausen, Martin apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik - Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.
Technische Universität Chemnitz
University of Luxembourg


Zitierweisen

APA:
Fromm, F., Oliveira, M.H., Molina-Sanchez, A., Hundhausen, M., Lopes, J.M.J., Riechert, H.,... Seyller, T. (2013). Contribution of the buffer layer to Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC(0001). New Journal of Physics, n/a, n/a. https://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/15/4/043031

MLA:
Fromm, Felix, et al. "Contribution of the buffer layer to Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC(0001)." New Journal of Physics n/a (2013): n/a.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 16:38