Defect structures at the silicon/3C-SiC interface

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Hens P, Müller J, Spiecker E, Wellmann P
Zeitschrift: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 2012
Band: 717-720
Seitenbereich: 423-426
ISBN: 9783037854198
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Sprache: Englisch


Abstract


In all heteroepitaxial systems the interface between substrate and layer is a crucial point. In this work SEM and TEM studies on the interface between silicon substrate and cubic silicon carbide (3C-SiC) layers obtained by chemical vapor deposition (CVD) are presented. A clear connection between process parameters, like the design of substrate cleaning, and the heating ramp, and resulting defect structures at the substrate-layer interface could be found. Whereas the process step of etching in hot hydrogen for oxide removal is crucial for avoiding the generation of closed voids of type 2, the design of the temperature ramp-up to growth temperature during carbonization influences the interface roughness. Here a fast ramp helps to obtain a flat interface. © (2012) Trans Tech Publications.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Müller, Julian Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Spiecker, Erdmann Prof. Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Wellmann, Peter Prof. Dr.-Ing.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Interdisziplinäres Zentrum, Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy (CENEM)


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Linköping University


Zitierweisen

APA:
Hens, P., Müller, J., Spiecker, E., & Wellmann, P. (2012). Defect structures at the silicon/3C-SiC interface. Materials Science Forum, 717-720, 423-426. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.423

MLA:
Hens, Philip, et al. "Defect structures at the silicon/3C-SiC interface." Materials Science Forum 717-720 (2012): 423-426.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-29-05 um 09:08