Graphene layers on silicon carbide studied by Raman spectroscopy

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Röhrl J, Hundhausen M, Emtsev K, Seyller T, Ley L
Zeitschrift: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 2008
Band: 600-603
Seitenbereich: 567
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Hundhausen, Martin apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Seyller, Thomas PD Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik


Zitierweisen

APA:
Röhrl, J., Hundhausen, M., Emtsev, K., Seyller, T., & Ley, L. (2008). Graphene layers on silicon carbide studied by Raman spectroscopy. Materials Science Forum, 600-603, 567. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.567

MLA:
Röhrl, Jonas, et al. "Graphene layers on silicon carbide studied by Raman spectroscopy." Materials Science Forum 600-603 (2008): 567.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 14:08