In-Situ observation of the oxygen nucleation in silicon with X-Ray single crystal diffraction

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Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Will J, Gröschel A, Bergmann C, Magerl A
Jahr der Veröffentlichung: 2011
Band: 178-179
Seitenbereich: 353-359
ISSN: 1012-0394
eISSN: 1662-9779


Abstract


The measurement of Pendellosungs oscillations was used to observe the time dependent nucleation of oxygen in a Czochralski grown single crystal at 750 degrees C. It is shown, that the theoretical approach of the statistical dynamical theory describes the data well. Within the framework of this theory it is possible to determine the static Debye-Waller-factor as a function of the annealing time by evaluating the mean value of the Bragg intensity and the period length. The temperature influence on the Pendellosungs distance was corrected for by measurement of a Float-zone sample at the same temperature.



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Bergmann, Christoph
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik
Gröschel, Alexander
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik
Magerl, Andreas Prof. Dr.
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik
Will, Johannes Dr.
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik


Zitierweisen

APA:
Will, J., Gröschel, A., Bergmann, C., & Magerl, A. (2011). In-Situ observation of the oxygen nucleation in silicon with X-Ray single crystal diffraction. (pp. 353-359).

MLA:
Will, Johannes, et al. "In-Situ observation of the oxygen nucleation in silicon with X-Ray single crystal diffraction." 2011. 353-359.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-24-07 um 21:23