Determination of the Electronic Energy Levels of Colloidal Nanocrystals using Field-Effect Transistors and Ab-Initio Calculations

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Bisri SZ, Degoli E, Spallanzani N, Krishnan G, Kooi BJ, Ghica C, Yarema M, Heiß W, Pulci O, Ossicini S, Loi MA
Zeitschrift: Advanced Materials
Verlag: Wiley-VCH Verlag
Jahr der Veröffentlichung: 2014
Band: 26
Heftnummer: 32
Seitenbereich: 5639-+
ISSN: 0935-9648


Abstract


Colloidal nanocrystals electronic energy levels are determined by strong size-dependent quantum confinement. Understanding the configuration of the energy levels of nanocrystal superlattices is vital in order to use them in heterostructures with other materials. A powerful method is reported to determine the energy levels of PbS nanocrystal assemblies by combining the utilization of electric-double-layer-gated transistors and advanced ab-initio theory.



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Heiß, Wolfgang Prof. Dr.
Professur für Werkstoffwissenschaften (lösungsprozessierte Halbleitermaterialien)


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Johannes Kepler Universität (JKU) Linz
National Institute of Materials Physics
Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia (UNIMORE)
Università degli Studi di Roma 'Tor Vergata'
University of Groningen / Rijksuniversiteit Groningen


Zitierweisen

APA:
Bisri, S.Z., Degoli, E., Spallanzani, N., Krishnan, G., Kooi, B.J., Ghica, C.,... Loi, M.A. (2014). Determination of the Electronic Energy Levels of Colloidal Nanocrystals using Field-Effect Transistors and Ab-Initio Calculations. Advanced Materials, 26(32), 5639-+. https://dx.doi.org/10.1002/adma.201400660

MLA:
Bisri, Satria Zulkarnaen, et al. "Determination of the Electronic Energy Levels of Colloidal Nanocrystals using Field-Effect Transistors and Ab-Initio Calculations." Advanced Materials 26.32 (2014): 5639-+.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-08-08 um 05:22