Doping of 4H-SiC with group IV elements

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Letter)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Krieger M, Rühl M, Śledziewski T, Ellrott G, Palm T, Weber HB, Bockstedte MG
Zeitschrift: Materials Science Forum
Verlag: Trans Tech Publications
Jahr der Veröffentlichung: 2016
Band: 858
Seitenbereich: 301
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Sprache: Englisch


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Bockstedte, Michel Georg PD Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Ellrott, Günter
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Palm, Theresa
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Sledziewski, Tomasz
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weber, Heiko B. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Forschungsbereiche

Halbleitermaterialien: Dotierstoffe und Defekte (Dr. Krieger, Prof. Weber)
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Zitierweisen

APA:
Krieger, M., Rühl, M., Śledziewski, T., Ellrott, G., Palm, T., Weber, H.B., & Bockstedte, M.G. (2016). Doping of 4H-SiC with group IV elements. Materials Science Forum, 858, 301. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.301

MLA:
Krieger, Michael, et al. "Doping of 4H-SiC with group IV elements." Materials Science Forum 858 (2016): 301.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-25-02 um 07:08

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