Lehrstuhl für Angewandte Physik


Beschreibung:


Die Forschung am Lehrstuhl für Angewandte Physik beschäftigt sich seit seiner Gründung im Jahre 1948 mit Elektronen im Festkörper. Wir betreiben Grundlagenforschung, um eine innovative Elektronik jenseits der heutigen Grenzen von Silizium zu ermöglichen. Dabei untersuchen wir moderne Materialsysteme mit außergewöhnlichen physikalischen Eigenschaften wie Graphen (einzelne Graphitschicht) für ultraschnelle Elektronik, einzelne organische Moleküle für kleinste elektronische Systeme, aber auch Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke (Siliziumkarbid) für leistungselektronische Anwendungen. Ein besonderes Augenmerk liegt dabei auf der Licht-Materie-Wechselwirkung, insbesondere im Terahertz-Frequenzbereich.


Adresse:
Staudtstraße 7
91058 Erlangen



Untergeordnete Organisationseinheiten

Professur für Angewandte Physik


Forschungsbereiche

Elektronentransport auf molekularer Skala (Prof. Weber)
Graphen
Halbleitermaterialien: Dotierstoffe und Defekte (Dr. Krieger, Prof. Weber)
Licht-Materie-Wechselwirkung im Terahertz-Bereich (Dr. Malzer, Prof. Weber)


Forschungsprojekt(e)

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Einzelne Farbzentren in Siliziumkarbid: elektrooptischer Zugang mittels epitaktischem Graphen
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.04.2017)


Monolithic electronic circuits based on epitaxial graphene
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.12.2013)


(SPP 1459: Graphene):
Wechselwirkungseffekte in und gateloses Strukturieren von epitaktischem Graphen auf Siliziumkarbid (0001)
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.10.2013)


(SFB 953: Synthetische Kohlenstoffallotrope):
SFB 953: Graphene und Organische Moleküle: Untersuchungen zum Ladungstransport (B08)
Prof. Dr. Heiko B. Weber
(01.01.2012)


(Training NETwork on Functional Interfaces for SiC):
NetFISiC: Training NETwork on Functional Interfaces for SiC
Dr. Michael Krieger
(01.01.2009 - 31.12.2011)



Publikationen (Download BibTeX)

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Sledziewski, T., Weber, H.B., & Krieger, M. (2016). Passivation and generation of states at P-implanted thermally grown and deposited n-type 4H-SiC / SiO2 interfaces. Materials Science Forum, 858, 697-700. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.697
Nowak, T., Hartmann, M., Zech, T., & Thielecke, J. (2016). A Path Loss and Fading Model for RSSI-based Localization in Forested Areas. In IEEE-APS Topical Conference on Antennas and Propagation in Wireless Communications (IEEE-APWC 2016). Cairns, AU.
Higuchi, T., Heide, C., Ullmann, K., Weber, H.B., & Hommelhoff, P. (2016). Light-field driven currents in graphene. arXiv, 12.
Hauck, M., Weiße, J., Lehmeyer, J., Pobegen, G., Weber, H.B., & Krieger, M. (2016). Quantitative Investigation of Near Interface Traps in 4H-SiC MOSFETs via Drain Current Deep Level Transient Spectroscopy. In Materials Science Forum.
Pobegen, G., Weiße, J., Hauck, M., Weber, H.B., & Krieger, M. (2016). On the origin of threshold voltage instability under operating conditions of 4H-SiC n-channel MOSFETs. Materials Science Forum, 858(473). https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.473
Krieger, M., Rühl, M., Sledziewski, T., Ellrott, G., Palm, T., Weber, H.B., & Bockstedte, M.G. (2016). Doping of 4H-SiC with group IV elements. Materials Science Forum, 858, 301. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.301
Kautz, J., Jobst, J., Sorger, C., Tromp, R.M., Weber, H.B., & Van Der Molen, S.J. (2015). Low-Energy Electron Potentiometry: Contactless Imaging of Charge Transport on the Nanoscale. Scientific Reports, 5. https://dx.doi.org/10.1038/srep13604
Kißlinger, F., Ott, C., Heide, C., Kampert, E., Butz, B., Spiecker, E.,... Weber, H.B. (2015). Linear magnetoresistance in mosaic-like bilayer graphene. Nature Physics, 11, 650-+. https://dx.doi.org/10.1038/NPHYS3368
Kolesnik-Gray, M., Sorger, C., Biswas, S., Holmes, J.D., Weber, H.B., & Krstic, V. (2015). In operandi observation of dynamic annealing: A case study of boron in germanium nanowire devices. Applied Physics Letters, 106. https://dx.doi.org/10.1063/1.4922527
Sorger, C., Preu, S., Schmidt, J., Winnerl, S., Bludov, Y., Peres, N.,... Weber, H.B. (2015). Terahertz response of patterned epitaxial graphene. New Journal of Physics, 17. https://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/17/5/053045
Ullmann, K., Brana Coto, P., Leitherer, S., Molina-Ontoria, A., Martin, N., Thoss, M., & Weber, H.B. (2015). Single-Molecule Junctions with Epitaxial Graphene Nanoelectrodes. Nano Letters, 15, 3512-3518. https://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b00877
Rivera-Lavado, A., Preu, S., Enrique Garcia-Munoz, L., Generalov, A., Montero-de-Paz, J., Doehler, G.,... Raeisaenen, A.V. (2015). Dielectric Rod Waveguide Antenna as THz Emitter for Photomixing Devices. IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 63, 882-890. https://dx.doi.org/10.1109/TAP.2014.2387419
Salinaro, A., Pobegen, G., Aichinger, T., Zippelius, B., Peters, D.P., Friedrichs, P., & Frey, L. (2015). Charge pumping measurements on differently passivated lateral 4H-SiC MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62(1), 155-163. https://dx.doi.org/10.1109/TED.2014.2372874
Sorger, C., Hertel, S., Jobst, J., Steiner, C., Meil, K., Ullmann, K.,... Weber, H.B. (2015). Gateless patterning of epitaxial graphene by local intercalation. Nanotechnology, 26, 025302. https://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/26/2/025302
Kolesnik-Gray, M., Hansel, S., Boese, M., & Krstic, V. (2015). Impact of surface and twin-boundary scattering on the electrical transport properties of Ag nanowires. Solid State Communications, 202, 48-51. https://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2014.11.006
Schinabeck, C., Härtle, R., Weber, H.B., & Thoss, M. (2014). Current noise in single-molecule junctions induced by electronic-vibrational coupling. Physical Review B, 90(7). https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.90.075409
Beljakowa, S., Hauck, M., Bockstedte, M.G., Fromm, F., Hundhausen, M., Nagasawa, H.,... Krieger, M. (2014). Persistent Conductivity in n-type 3C-SiC Observed at Low Temperatures. Materials Science Forum, 778-780, 265-268. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.265
Noll, S., Rambach, M., Grieb, M., Scholten, D., Bauer, A., & Frey, L. (2014). Effect of shallow n-doping on field effect mobility in p-doped channels of 4H-SiC MOS field effect transistors. Trans Tech Publications Ltd.
Sledziewski, T., Beljakowa, S., Alassaad, K., Kwasnicki, P., Arvinte, R., Juillaguet, S.,... Krieger, M. (2014). Characterization of Ge-doped homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition. Materials Science Forum, 778-780, 261-264. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.261
Butz, B., Dolle, C., Niekiel, F., Weber, K., Waldmann, D., Weber, H.B.,... Spiecker, E. (2014). Dislocations in bilayer graphene. Nature, 505, 533-537. https://dx.doi.org/10.1038/nature12780

Zuletzt aktualisiert 2019-22-01 um 18:02