Chemical Vapor Deposition

Abkürzung der Fachzeitschrift: CHEM VAPOR DEPOS
ISSN: 0948-1907
Verlag: Wiley-VCH Verlag


Band: 17, Seitenbereich: 15-21
Methylated [(benzene)(1,3-butadiene)Ru0] derivatives as novel MOCVD precursors with favorable properties (2011)
Jipa I, Siddiqi MA, Siddiqui RA, et al.

Band: 17, Seitenbereich: 177-+
Stoichiometry of Nickel Oxide Films Prepared by ALD (2011)
Bachmann J, Zolotaryov A, Albrecht O, et al.

Band: 16, Seitenbereich: 239-247
[cis-(1,3-diene) 2W(CO) 2] complexes as MOCVD precursors for the deposition of thin tungsten - Tungsten carbide films (2010)
Jipa I, Heinemann F, Schneider A, et al.

Heftnummer: 2-3, Band: 13, Seitenbereich: 105-111
MOCVD of Hafnium Silicate Films Obtained from a Single-Source Precusor on Silicon and Germanium for Gate-Dielectric Applications (2007)
Ryssel H, Jank M, Bauer A, et al.

Heftnummer: 8-9, Band: 12, Seitenbereich: 557-561
Growth of silicon carbide bulk crystals with a modified physical vapor transport technique (2006)
Müller R, Künecke U, Queren D, et al.

Heftnummer: 8-9, Band: 12, Seitenbereich: 463-464
Silicon carbide CVD for electronic device applications (2006)
Wellmann P, Pons M

Zuletzt aktualisiert 2015-29-05 um 16:45