An Impedance-Boosted Ka-Band Colpitts VCO with a PN1MHz of −107 dBc/Hz in 90 nm SiGe BiCMOS Technology

Isbilen T, Breun S, Arneth N, Schrotz AM, Koch M, Berwald A, Weigel R, Franchi N (2026)

Publication Type: Conference contribution, Conference Contribution

Publication year: 2026

Authors with CRIS profile

Timur Isbilen Lehrstuhl für Intelligente Technische Elektronik und Systeme Nils Arneth Lehrstuhl für Intelligente Technische Elektronik und Systeme Albert-Marcel Schrotz Lehrstuhl für Intelligente Technische Elektronik und Systeme Manuel Koch Lehrstuhl für Intelligente Technische Elektronik und Systeme Alexander Berwald Lehrstuhl für Intelligente Technische Elektronik und Systeme Robert Weigel Technische Fakultät Norman Franchi Lehrstuhl für Intelligente Technische Elektronik und Systeme

How to cite

APA:

Isbilen, T., Breun, S., Arneth, N., Schrotz, A.-M., Koch, M., Berwald, A.,... Franchi, N. (2026). An Impedance-Boosted Ka-Band Colpitts VCO with a PN1MHz of −107 dBc/Hz in 90 nm SiGe BiCMOS Technology. In Proceedings of the 2026 IEEE Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON).

MLA:

Isbilen, Timur, et al. "An Impedance-Boosted Ka-Band Colpitts VCO with a PN1MHz of −107 dBc/Hz in 90 nm SiGe BiCMOS Technology." Proceedings of the 2026 IEEE Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON) 2026.

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