Evaluating Bidirectional GaN HEMT, SiC MOSFET, and Si IGBT for ARCP Inverter Auxiliary Circuits

Lehmeier T, Zhou Y, Amler A, Pai AP, März M (2026)

Publication Language: English

Publication Type: Conference contribution, Conference Contribution

Publication year: 2026

Event location: Nagasaki (Japan)

Authors with CRIS profile

Thomas Lehmeier Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE) Yan Zhou Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE) Adrian Amler Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE) Ajay Poonjal Pai Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE) Martin März Lehrstuhl für Leistungselektronik (LEE)

How to cite

APA:

Lehmeier, T., Zhou, Y., Amler, A., Pai, A.P., & März, M. (2026). Evaluating Bidirectional GaN HEMT, SiC MOSFET, and Si IGBT for ARCP Inverter Auxiliary Circuits. In Proceedings of the Conference: IPEC-Nagasaki 2026 - ECCE Asia. Nagasaki (Japan).

MLA:

Lehmeier, Thomas, et al. "Evaluating Bidirectional GaN HEMT, SiC MOSFET, and Si IGBT for ARCP Inverter Auxiliary Circuits." Proceedings of the Conference: IPEC-Nagasaki 2026 - ECCE Asia, Nagasaki (Japan) 2026.

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