Anwendung eines FEM-Modells zur Simulation von Nitridschichten auf Silizium zur Bewertung der Spannungen bei der GaN-on-Silicon-Schichtherstellung
Kriska P (2023)
Publication Language: German
Publication Type: Thesis
Publication year: 2023
Abstract
Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, mit einem zuvor erstellten FEM-Modell herauszufinden, wie sich diverse Parameter auf die Spannung, Krümmung sowie die Durchbiegung im System Aluminiumnitrid-Silizium auswirken, um sich einer möglichst genauen Beurteilung des Zustands dieses Systems zu nähern.
Der Aufgabe wurde damit begegnet, indem die bei den Messmethoden vorliegenden Lagerungssituationen über Randbedingungen im Modell nachgestellt, eine Methode zur Implementierung einer Schichtdickenverteilung entwickelt und eine Parameterstudie durchgeführt wurde.
Die Ergebnisse zeigen sowohl die Einflüsse der gewollt veränderbaren als auch durch die Messmethodik bedingte ungewollte Änderung der Spannung, Krümmung und Durchbiegung. Damit bildet das Modell eine Grundlage für die Auslegung weiterer Schichten.
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APA:
Kriska, P. (2023). Anwendung eines FEM-Modells zur Simulation von Nitridschichten auf Silizium zur Bewertung der Spannungen bei der GaN-on-Silicon-Schichtherstellung (Bachelor thesis).
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Kriska, Paul. Anwendung eines FEM-Modells zur Simulation von Nitridschichten auf Silizium zur Bewertung der Spannungen bei der GaN-on-Silicon-Schichtherstellung. Bachelor thesis, 2023.
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