A Full D-Band Low Noise Amplifier in 130 nm SiGe BiCMOS using Zero-Ohm Transmission Lines

Maiwald T, Potschka J, Kolb K, Dietz M, Aufinger K, Visweswaran A, Weigel R (2021)

Publication Language: English

Publication Status: Accepted

Publication Type: Conference contribution, Conference Contribution

Future Publication Type: Conference contribution

Publication year: 2021

Pages Range: 13-16

Conference Proceedings Title: 15th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)

Event location: Utrecht (virtuell)

URI: https://ieeexplore.ieee.org/document/9337394

Authors with CRIS profile

Tim Maiwald Lehrstuhl für Technische Elektronik Julian Potschka Lehrstuhl für Technische Elektronik Katharina Kolb Lehrstuhl für Technische Elektronik Marco Dietz Lehrstuhl für Technische Elektronik Robert Weigel Lehrstuhl für Technische Elektronik

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Involved external institutions

Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC)

Belgium (BE) Infineon Technologies AG

Germany (DE)

How to cite

APA:

Maiwald, T., Potschka, J., Kolb, K., Dietz, M., Aufinger, K., Visweswaran, A., & Weigel, R. (2021). A Full D-Band Low Noise Amplifier in 130 nm SiGe BiCMOS using Zero-Ohm Transmission Lines. In 15th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) (pp. 13-16). Utrecht (virtuell), NL.

MLA:

Maiwald, Tim, et al. "A Full D-Band Low Noise Amplifier in 130 nm SiGe BiCMOS using Zero-Ohm Transmission Lines." Proceedings of the European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Utrecht (virtuell) 2021. 13-16.

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