Third Party Funds Group - Sub project
Acronym: SFB 1719 C01
Start date : 01.10.2025
End date : 30.06.2029
Projekt C1 zielt darauf ab, die Morphologie der Halbleiterabscheidung durch die Wechselwirkungen zu steuern, die während des sALD-Wachstums zwischen dem Substrat, der festen Schicht und der Flüssigkeit auftreten. Unter Verwendung von Informationen aus M1, M3, M4, M5 und dank selbstassemblierten molekularen Monoslagen aus F6 zur Einstellung der Dichte der Nukleationsstellen und Grenzflächenenergien werden Liganden und Lösungsmittel verwendet, um den Wachstumsmodus von homogen vertikal (Film) zu dreidimensional (halbkugelförmig) oder zweidimensional (planare Flocken) zu lenken. Einzelne Reaktionsschritte werden mit C5, C6, F5 identifiziert, die Struktur und Eigenschaften der Ablagerungen werden mit S1-S5 untersucht.