Sonderforschungsbereich 1719: ChemPrint -- Gedruckte Halbleiter der nächsten Generation: Ingenieurskunst auf atomarer Ebene mittels molekularer Oberflächenchemie

Sonderforschungsbereich 1719 TP C01 - Steuerung von Ablagerungsort und Morphologie über kovalente und nicht-kovalente Wechselwirkungen Sonderforschungsbereich 1719 TP C02 - Oberflächenchemie auf 2D-Materialien Sonderforschungsbereich 1719 TP C03 - Photostrukturiertes Kristallwachstum auf Oberflächen Sonderforschungsbereich 1719 TP C04 - Verständnis und Steuerung der Abscheidung von Halbleiterfilmen mittels elektrochemischer Ansätze Sonderforschungsbereich 1719 TP C05 - Grundlegende Wachstumsmechanismen für gedruckte Halbleiter verstehen: Von der Oberflächenwissenschaft zu In-situ-Studien in flüssigen Umgebungen Sonderforschungsbereich 1719 TP C06 - Festkörper-NMR-Spektroskopie zur Bildung und Strukturkontrolle dünner Halbleiterschichten Sonderforschungsbereich 1719 TP F01 - Photonen- und Ladungsträgermanagement in niedrigdimensionalen Halbleitern Sonderforschungsbereich 1719 TP F03 - Lösungsphasenepitaxie (SPE) von Halbleitern: von Einkristallfilmen zu epitaktischen Halbleiter-Heteroübergängen Sonderforschungsbereich 1719 TP F04 - Direkter Vergleich von Struktur und Leistung von vakuum- und lösungsverarbeiteten Photovoltaikgeräten Sonderforschungsbereich 1719 TP F05 - Selektives Wachstum und Geräteintegration von Dünnschichtmaterialien auf selbstorganisierten Monoschichten Sonderforschungsbereich 1719 TP F06 - Recycelbare optoelektronische Geräte durch reversible Abscheidung und Entfernung von Funktionsschichten mit atomarer Präzision Sonderforschungsbereich 1719 TP M01 - Atomistische Untersuchungen der Strukturbildung neuer elektronischer Materialien durch Dichtefunktionalrechnungen Sonderforschungsbereich 1719 TP M02 - Phänomene in angeregten Zuständen: Entschlüsselung von Struktur-Eigenschafts-Beziehungen über verschiedene Dimensionen hinweg Sonderforschungsbereich 1719 TP M03 - Verständnis und Kontrolle der Nukleation und des Wachstums von 2D-Halbleitern durch molekulardynamische Simulationen Sonderforschungsbereich 1719 TP M04 - Zur Kontrolle von Nukleation und Wachstums in 2D-Materialien Sonderforschungsbereich 1719 TP M05 - Die Rolle von Lösungsmitteleigenschaften und Prozessparametern bei der Keimbildung und dem Wachstum von Kristallen beim Trocknen von Lösungen Sonderforschungsbereich 1719 TP S01 - Atomare Einblicke in die Morphologie und elektronische Struktur von 2D-Halbleitern mithilfe von Rasterkraftmikroskopie Sonderforschungsbereich 1719 TP S02 - Hochauflösende, analytische und in-situ-Elektronenmikroskopie der Atomstruktur, der lokalen Chemie und der Strukturentwicklung von Lösungsverarbeiteten Dünnfilmen Sonderforschungsbereich 1719 TP S03 - Schrittweise Strukturentwicklung gedruckter Halbleiter: Von ex-situ- zu komplexen in-situ-Studien Sonderforschungsbereich 1719 TP S04 - Excitons and phonons at vertical and lateral interfaces in ultrathin semiconductors Sonderforschungsbereich 1719 TP S05 - Bildung von Schichten und Grenzflächen defekttoleranter Funktionsmaterialien untersucht durch Röntgenspektroskopie Sonderforschungsbereich 1719 TP T (MGK) - Integriertes Graduiertenkolleg (iRTG) Sonderforschungsbereich 1719 TP Z - Zentrale Aufgaben des SFB - Koordination