Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(anderer)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Hauck M, Krieger M
Zeitschrift: Elektronikpraxis - Profiline
Jahr der Veröffentlichung: 2019
Band: Sonderheft Leistungselektronik und Stromversorgungen I
Seitenbereich: 16-18
ISSN: 0341-5589
Sprache: Deutsch


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Hauck, Martin
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Zitierweisen

APA:
Hauck, M., & Krieger, M. (2019). Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs. Elektronikpraxis - Profiline, Sonderheft Leistungselektronik und Stromversorgungen I, 16-18.

MLA:
Hauck, Martin, and Michael Krieger. "Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs." Elektronikpraxis - Profiline Sonderheft Leistungselektronik und Stromversorgungen I (2019): 16-18.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-04-03 um 20:23