Impact of N Incorporation on VLS Growth of GaP(N) Nanowires Utilizing UDMH

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Letter)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Steidl M, Wu M, Peh K, Kleinschmidt P, Spiecker E, Hannappel T
Zeitschrift: Nanoscale Research Letters
Jahr der Veröffentlichung: 2018
Band: 13
Seitenbereich: 417
ISSN: 1931-7573
eISSN: 1556-276X


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Spiecker, Erdmann Prof. Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Wu, Mingjian Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Interdisziplinäres Zentrum, Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy (CENEM)
Graduiertenkolleg 1896/2 In situ Mikroskopie mit Elektronen, Röntgenstrahlen und Rastersonden
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)


Zitierweisen

APA:
Steidl, M., Wu, M., Peh, K., Kleinschmidt, P., Spiecker, E., & Hannappel, T. (2018). Impact of N Incorporation on VLS Growth of GaP(N) Nanowires Utilizing UDMH. Nanoscale Research Letters, 13, 417. https://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2833-6

MLA:
Steidl, Matthias, et al. "Impact of N Incorporation on VLS Growth of GaP(N) Nanowires Utilizing UDMH." Nanoscale Research Letters 13 (2018): 417.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-27-05 um 17:05