Electronic structure of lanthanide oxide high K gate oxides

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Gillen R, Robertson J
Zeitschrift: Microelectronic Engineering
Jahr der Veröffentlichung: 2013
Band: 109
Seitenbereich: 72-74
ISSN: 0167-9317


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Gillen, Roland
Lehrstuhl für Experimentalphysik


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

University of Cambridge


Zitierweisen

APA:
Gillen, R., & Robertson, J. (2013). Electronic structure of lanthanide oxide high K gate oxides. Microelectronic Engineering, 109, 72-74. https://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.011

MLA:
Gillen, Roland, and John Robertson. "Electronic structure of lanthanide oxide high K gate oxides." Microelectronic Engineering 109 (2013): 72-74.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-08-12 um 13:50

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