Defect densities inside the conductive filament of RRAMs

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autor(en): Robertson J, Gillen R
Zeitschrift: Microelectronic Engineering
Jahr der Veröffentlichung: 2013
Band: 109
Seitenbereich: 208-210
ISSN: 0167-9317


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Gillen, Roland
Lehrstuhl für Experimentalphysik


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
University of Cambridge


Zitierweisen

APA:
Robertson, J., & Gillen, R. (2013). Defect densities inside the conductive filament of RRAMs. Microelectronic Engineering, 109, 208-210. https://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.010

MLA:
Robertson, John, and Roland Gillen. "Defect densities inside the conductive filament of RRAMs." Microelectronic Engineering 109 (2013): 208-210.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-07-12 um 20:50