Chemical trends of defects at HfO2:GaAs and Al2O 3:GaAs/InAs/InP/GaSb interfaces

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Lin L, Guo Y, Gillen R, Robertson J
Zeitschrift: Journal of Applied Physics
Jahr der Veröffentlichung: 2013
Band: 113
Heftnummer: 13
ISSN: 0021-8979


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Gillen, Roland
Lehrstuhl für Experimentalphysik


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

University of Cambridge


Zitierweisen

APA:
Lin, L., Guo, Y., Gillen, R., & Robertson, J. (2013). Chemical trends of defects at HfO2:GaAs and Al2O 3:GaAs/InAs/InP/GaSb interfaces. Journal of Applied Physics, 113(13). https://dx.doi.org/10.1063/1.4799364

MLA:
Lin, Liang, et al. "Chemical trends of defects at HfO2:GaAs and Al2O 3:GaAs/InAs/InP/GaSb interfaces." Journal of Applied Physics 113.13 (2013).

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-07-12 um 13:50