Is an antiparallel SiC-Schottky diode necessary?
Calorimetric analysis of SiC-MOSFETs switching behavior

Beitrag bei einer Tagung
(Konferenzbeitrag)


Details zur Publikation

Autor(en): Kreutzer O, Billmann M, März M
Herausgeber: VDE
Jahr der Veröffentlichung: 2018
ISBN: 978-3-8007-4646-0
Sprache: Englisch


Abstract

Within
this paper the switching losses of a Wolfspeed 25mOhm bare die SiC-MOSFET are
measured in a hard switching 800 V DCDC-converter with five different
commutation partners. A small and a large SiC Schottky diode, an SiC-MOSFET
body diode and a combination of body and Schottky diode are compared at
different switching speeds and switching currents. The results show quite well
the reverse recovery charge dependence of SiC-MOSFET’s body
diode on switching speed. In contrast to common electric measurements where
losses are calculated, the calorimetric measurements reveal exactly what shall
be quantified: The temperature rise of the switching MOSFET


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

März, Martin Prof. Dr.
Lehrstuhl für Leistungselektronik


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB)


Zitierweisen

APA:
Kreutzer, O., Billmann, M., & März, M. (2018). Is an antiparallel SiC-Schottky diode necessary? Calorimetric analysis of SiC-MOSFETs switching behavior. In VDE (Eds.), . Nürnberg, DE.

MLA:
Kreutzer, Otto, Markus Billmann, and Martin März. "Is an antiparallel SiC-Schottky diode necessary? Calorimetric analysis of SiC-MOSFETs switching behavior." Proceedings of the 2018 PCIM Europe, Nürnberg Ed. VDE, 2018.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-14-02 um 11:08