Quasi-freestanding Graphene on SiC(0001)

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Speck F, Ostler M, Röhrl J, Jobst J, Waldmann D, Hundhausen M, Ley L, Weber HB, Seyller T
Zeitschrift: Materials Science Forum
Verlag: Trans Tech Publications
Jahr der Veröffentlichung: 2010
Band: 645-648
Seitenbereich: 629-632
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752


Abstract


We report on a comprehensive study of the properties of quasi-freestanding monolayer and bilayer graphene produced by conversion of the (6√3×6√3)R30° reconstruction into graphene via intercalation of hydrogen. The conversion is confirmed by photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy. By using infrared absorption spectroscopy we show that the underlying SiC(0001) surface is terminated by hydrogen in the form of Si-H bonds. Using Hall effect measurements we have determined the carrier concentration and type as well as the mobility which lies well above 1000 cm2/Vs despite a significant amount of short range scatterers detected by Raman spectroscopy. © (2010) Trans Tech Publications.



FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Hundhausen, Martin apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Jobst, Johannes
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Ostler, Markus
Lehrstuhl für Laserphysik
Seyller, Thomas PD Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Speck, Florian
Naturwissenschaftliche Fakultät
Waldmann, Daniel
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weber, Heiko B. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Zitierweisen

APA:
Speck, F., Ostler, M., Röhrl, J., Jobst, J., Waldmann, D., Hundhausen, M.,... Seyller, T. (2010). Quasi-freestanding Graphene on SiC(0001). Materials Science Forum, 645-648, 629-632. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.629

MLA:
Speck, Florian, et al. "Quasi-freestanding Graphene on SiC(0001)." Materials Science Forum 645-648 (2010): 629-632.

BibTeX: 

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