Isotope-Disorder-Induced Line Broadening of Phonons in the Raman Spectra of SiC

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Hundhausen M, Ley L
Zeitschrift: Physical Review Letters
Verlag: American Physical Society
Jahr der Veröffentlichung: 2001
Band: 86
Seitenbereich: 826
ISSN: 0031-9007


Abstract

The linewidth of a phonon in isotopically disordered SiC was shown to be not depending on the degree of mass disorder but on the frequency of the phonons. The elastic scattering by mass fluctuations contributed to the linewidth and the scattering rate was proportional to the density of final phonon states.


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Hundhausen, Martin apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 19:38