Mechanism of reaktive Ion etching of 6H-SiC in CHF3/O2 gas mixtures

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Ristein J, Ley L
Zeitschrift: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 1998
Band: 264-268
Seitenbereich: 825
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Ristein, Jürgen apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 05:25