Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors based on Oligo-9,9’-dioctylfluorene Phosphonic Acids

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Gothe B, de Roo T, Will J, Unruh T, Mecking S, Halik M
Zeitschrift: Nanoscale
Jahr der Veröffentlichung: 2017
Band: 9
Heftnummer: 47
Seitenbereich: 18584-18589
ISSN: 2040-3364


Abstract


The use of functional oligomers of pi-conjugated oligofluorenes led to a region-selective assembly of amorphous monolayers which exhibit robust lateral charge transport pathways in self-assembled monolayer field-effect transistors over long distances and even in mixed monolayers of semiconducting and insulating molecules. This oligomer concept might stimulate a new molecular design of self-assembling semiconducting materials.



FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Gothe, Bastian
Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe)
Halik, Marcus Prof. Dr.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe)
Unruh, Tobias Prof. Dr.
Professur für Nanomaterialcharakterisierung (Streumethoden)
Will, Johannes Dr.
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Universität Konstanz


Zitierweisen

APA:
Gothe, B., de Roo, T., Will, J., Unruh, T., Mecking, S., & Halik, M. (2017). Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors based on Oligo-9,9’-dioctylfluorene Phosphonic Acids. Nanoscale, 9(47), 18584-18589. https://dx.doi.org/10.1039/c7nr06090d

MLA:
Gothe, Bastian, et al. "Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors based on Oligo-9,9’-dioctylfluorene Phosphonic Acids." Nanoscale 9.47 (2017): 18584-18589.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-30-06 um 23:23