Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors based on Oligo-9,9’-dioctylfluorene Phosphonic Acids

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Gothe B, de Roo T, Will J, Unruh T, Mecking S, Halik M
Zeitschrift: Nanoscale
Jahr der Veröffentlichung: 2017
Band: 9
Heftnummer: 47
Seitenbereich: 18584-18589
ISSN: 2040-3364


Abstract


The use of functional oligomers of pi-conjugated oligofluorenes led to a region-selective assembly of amorphous monolayers which exhibit robust lateral charge transport pathways in self-assembled monolayer field-effect transistors over long distances and even in mixed monolayers of semiconducting and insulating molecules. This oligomer concept might stimulate a new molecular design of self-assembling semiconducting materials.



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Gothe, Bastian
Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe)
Halik, Marcus Prof. Dr.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe)
Unruh, Tobias Prof. Dr.
Professur für Nanomaterialcharakterisierung (Streumethoden)
Will, Johannes Dr.
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Universität Konstanz


Forschungsbereiche

B Nanoelectronic Materials
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials
A2 Nanoanalysis and Microscopy
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


Zitierweisen

APA:
Gothe, B., de Roo, T., Will, J., Unruh, T., Mecking, S., & Halik, M. (2017). Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors based on Oligo-9,9’-dioctylfluorene Phosphonic Acids. Nanoscale, 9(47), 18584-18589. https://dx.doi.org/10.1039/c7nr06090d

MLA:
Gothe, Bastian, et al. "Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors based on Oligo-9,9’-dioctylfluorene Phosphonic Acids." Nanoscale 9.47 (2017): 18584-18589.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-30-06 um 23:23

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