Carrier recombination kinetics in amorphous doping superlattices

Beitrag in einem Sammelwerk


Details zur Publikation

Autor(en): Ley L, Hundhausen M
Titel Sammelwerk: Disordered semiconductors
Verlag: Plenum Press
Verlagsort: New York & London
Jahr der Veröffentlichung: 1987
Seitenbereich: n/a
ISBN: 0306424940


Abstract

Research activities on nipi structures are reported, along with conductivity measurements as a function of layer thickness. The salient features of these measurements are discussed. The authors consider the kinetics of photocarrier recombination in nipi samples below 20 K, as well as persistent photoconductivity.


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Hundhausen, Martin apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät


Zitierweisen

APA:
Ley, L., & Hundhausen, M. (1987). Carrier recombination kinetics in amorphous doping superlattices. In Disordered semiconductors (pp. n/a). New York & London: Plenum Press.

MLA:
Ley, Lothar, and Martin Hundhausen. "Carrier recombination kinetics in amorphous doping superlattices." Disordered semiconductors New York & London: Plenum Press, 1987. n/a.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 23:39