Quantitative evaluation of biaxial strain in epitaxial 3 C- SiC layers on Si(100) substrates by Raman spectroscopy

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Hundhausen M, Ley L
Zeitschrift: Journal of Applied Physics
Verlag: American Institute of Physics (AIP)
Jahr der Veröffentlichung: 2002
Band: 91
Seitenbereich: 1113
ISSN: 0021-8979


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Hundhausen, Martin apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 06:38