Persistent Conductivity in n-type 3C-SiC Observed at Low Temperatures

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Details zur Publikation

Autor(en): Beljakowa S, Hauck M, Bockstedte MG, Fromm F, Hundhausen M, Nagasawa H, Weber HB, Pensl G, Krieger M
Zeitschrift: Materials Science Forum
Verlag: Trans Tech Publications
Jahr der Veröffentlichung: 2014
Band: 778-780
Seitenbereich: 265-268
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752


Abstract


Persistent conductivity in n-type 3C-SiC is investigated in a wide temperature range down to 3 K by Hall effect, admittance spectroscopy, low temperature photoluminescence (LTPL) and Raman spectroscopy. We propose a model, which clearly explains the persistent behavior of the electron density η below 50 K. It is experimentally verified that the persistent conductivity results from doped SF bunches, which can be considered nano-polytype inclusions in 3C-SiC. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.



FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Beljakowa, Svetlana Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Fromm, Felix
Lehrstuhl für Laserphysik
Hauck, Martin
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Hundhausen, Martin apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Krieger, Michael Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weber, Heiko B. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Tohoku University


Zitierweisen

APA:
Beljakowa, S., Hauck, M., Bockstedte, M.G., Fromm, F., Hundhausen, M., Nagasawa, H.,... Krieger, M. (2014). Persistent Conductivity in n-type 3C-SiC Observed at Low Temperatures. Materials Science Forum, 778-780, 265-268. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.265

MLA:
Beljakowa, Svetlana, et al. "Persistent Conductivity in n-type 3C-SiC Observed at Low Temperatures." Materials Science Forum 778-780 (2014): 265-268.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 20:53