Charge transfer doping of Silicon

Beitrag in einer Fachzeitschrift


Details zur Publikation

Autor(en): Rietwyk KJ, Smets Y, Bashouti M, Christiansen SH, Schenk A, Tadich A, Edmonds MT, Ristein J, Ley L, Pakes CI
Zeitschrift: Physical Review Letters
Jahr der Veröffentlichung: 2013
Band: n/a
Seitenbereich: n/a
ISSN: 0031-9007


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Ristein, Jürgen apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Australian Synchrotron
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB)
La Trobe University
Max-Planck-Institut für die Physik des Lichts (MPL) / Max Planck Institute for the Science of Light
Monash University


Zitierweisen

APA:
Rietwyk, K.J., Smets, Y., Bashouti, M., Christiansen, S.H., Schenk, A., Tadich, A.,... Pakes, C.I. (2013). Charge transfer doping of Silicon. Physical Review Letters, n/a, n/a. https://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.112.155502

MLA:
Rietwyk, K. J., et al. "Charge transfer doping of Silicon." Physical Review Letters n/a (2013): n/a.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-07-08 um 05:28