Low-temperature ballistic transport in nanoscale epitaxial graphene cross junctions

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Weingart S, Bock C, Kunze U, Speck F, Seyller T, Ley L
Zeitschrift: Applied Physics Letters
Jahr der Veröffentlichung: 2009
Band: 95
Heftnummer: 26
ISSN: 0003-6951


Abstract

We report on the observation of inertial-ballistic transport in nanoscale cross junctions fabricated from epitaxial graphene grown on SiC(0001). Ballistic transport is indicated by a negative bend resistance of R ≈-170 ω, which is measured in a nonlocal, four-terminal configuration at 4.2 and which vanishes as the temperature is increased above 80 K. © 2009 American Institute of Physics.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Seyller, Thomas PD Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik
Speck, Florian
Lehrstuhl für Laserphysik


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Ruhr-Universität Bochum (RUB)


Forschungsbereiche

B Nanoelectronic Materials
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


Zitierweisen

APA:
Weingart, S., Bock, C., Kunze, U., Speck, F., Seyller, T., & Ley, L. (2009). Low-temperature ballistic transport in nanoscale epitaxial graphene cross junctions. Applied Physics Letters, 95(26). https://dx.doi.org/10.1063/1.3276560

MLA:
Weingart, S., et al. "Low-temperature ballistic transport in nanoscale epitaxial graphene cross junctions." Applied Physics Letters 95.26 (2009).

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-06-06 um 12:30