Defect generation and annihilation in 3C-SiC-(001) homoepitaxial growth by sublimation

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Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Hens P, Müller J, Wagner G, Liljedahl R, Spiecker E, Syväjärvi M
Jahr der Veröffentlichung: 2013
Seitenbereich: 283-286
ISBN: 9783037856246
Sprache: Englisch


Abstract


In this paper we present an investigation on the defect generation and annihilation during the homoepitaxial growth step of cubic silicon carbide by sublimation epitaxy on templates grown by chemical vapor deposition on silicon substrates. Several structural defects like stacking faults, twins and star-defects show opposite evolution from the template layer into the sublimation grown material. While single planar defects tend to annihilate with increasing layer thickness, the defect clusters assigned to the star-defects are enlarging. These issues contribute to a balance of how to achieve the best possible quality on thick layers. © (2013) Trans Tech Publications, Switzerland.



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Müller, Julian Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Spiecker, Erdmann Prof. Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Interdisziplinäres Zentrum, Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy (CENEM)


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Linköping University


Zitierweisen

APA:
Hens, P., Müller, J., Wagner, G., Liljedahl, R., Spiecker, E., & Syväjärvi, M. (2013). Defect generation and annihilation in 3C-SiC-(001) homoepitaxial growth by sublimation.

MLA:
Hens, Philip, et al. Defect generation and annihilation in 3C-SiC-(001) homoepitaxial growth by sublimation. 2013.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-29-05 um 16:08