In-situ characterization of chemical annealing of a-Si:H by photoelectron spectroscopy

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Details zur Publikation

Autor(en): Ristein J, Ley L
Zeitschrift: Journal of Non-Crystalline Solids
Verlag: Elsevier
Jahr der Veröffentlichung: 1993
Band: 164-166
Seitenbereich: 123
ISSN: 0022-3093


Abstract

The effect of chemical annealing with atomic hydrogen on a-Si:H samples was investigated in situ using surface sensitive spectroscopies. Changes in the hydrogen concentration and configuration as well as in the near surface defect state density are observed and are compared to the corresponding changes with deposition temperature. © 1993.


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Ristein, Jürgen apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 04:53