Electronic and structural properties of the a-Si:H/a-SiNx:H interface
Beitrag in einer Fachzeitschrift
Details zur Publikation
Autorinnen und Autoren: Ristein J, Ley L
Zeitschrift: → Journal of Non-Crystalline Solids |
Verlag: Elsevier
Jahr der Veröffentlichung: 1993
Band: 164-166
Seitenbereich: 195
ISSN: 0022-3093
Abstract
Valence band offsets and band bending were systematically investigated by photoelectron spectroscopy for the a-Si:H/a-SiNX:H heterojunction covering nitrogen concentrations between 0≤×≤1.63. The chemical structure and the defect density of the interfaces are determined. © 1993.
FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber
| | | Naturwissenschaftliche Fakultät |
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| Ristein, Jürgen apl. Prof. Dr. |
| | Lehrstuhl für Laserphysik |
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