Electronic and structural properties of the a-Si:H/a-SiNx:H interface

Beitrag in einer Fachzeitschrift

Details zur Publikation

Autor(en): Ristein J, Ley L
Zeitschrift: Journal of Non-Crystalline Solids
Verlag: Elsevier
Jahr der Veröffentlichung: 1993
Band: 164-166
Seitenbereich: 195
ISSN: 0022-3093


Valence band offsets and band bending were systematically investigated by photoelectron spectroscopy for the a-Si:H/a-SiNX:H heterojunction covering nitrogen concentrations between 0≤×≤1.63. The chemical structure and the defect density of the interfaces are determined. © 1993.

FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Ley, Lothar Prof. Dr.
Naturwissenschaftliche Fakultät
Ristein, Jürgen apl. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Laserphysik

Zuletzt aktualisiert 2018-09-08 um 04:53