Interface Engineering of Molecular Charge Storage Dielectric Layers for Organic Thin-Film Memory Transistors
Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Report)
Details zur Publikation
Autor(en): Khassanov A, Schmaltz T, Steinrück HP, Magerl A, Hirsch A, Halik M
Zeitschrift: → Advanced Materials Interfaces |
Jahr der Veröffentlichung: 2014
Band: 1
Heftnummer: 9
Seitenbereich: n/a
ISSN: 2196-7350
Abstract
Mixed self-assembled monolayers of C60-functionalized and different long-chained insulating phosphonic acids provide molecular scale non-volatile memory dielectrics for low-voltage organic thin-film transistors. The memory retention depends on the insulation of the C60 moiety and can be improved by embedding into the insulating SAM matrix and covering by corresponding insulating molecules.
FAU-Autoren / FAU-Herausgeber
| | | Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe) |
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| Hirsch, Andreas Prof. Dr. |
| | Lehrstuhl für Organische Chemie II |
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| | | Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe) |
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| Magerl, Andreas Prof. Dr. |
| | Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik |
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| | | Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe) |
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| Steinrück, Hans-Peter Prof. Dr. |
| | Lehrstuhl für Physikalische Chemie II |
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Zusätzliche Organisationseinheit(en)
→ Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials |
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Zitierweisen
APA: | Khassanov, A., Schmaltz, T., Steinrück, H.-P., Magerl, A., Hirsch, A., & Halik, M. (2014). Interface Engineering of Molecular Charge Storage Dielectric Layers for Organic Thin-Film Memory Transistors. Advanced Materials Interfaces, 1(9), n/a. https://dx.doi.org/10.1002/admi.201400238 |
MLA: | Khassanov, Artöm, et al. "Interface Engineering of Molecular Charge Storage Dielectric Layers for Organic Thin-Film Memory Transistors." Advanced Materials Interfaces 1.9 (2014): n/a. |