Morphological impact of zinc oxide layers on the device performance in thin-film transistors

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Report)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Faber H, Klaumünzer M, Voigt M, Galli D, Vieweg B, Peukert W, Spiecker E, Halik M
Zeitschrift: Nanoscale
Verlag: Royal Society of Chemistry
Jahr der Veröffentlichung: 2011
Band: 3
Heftnummer: 3
Seitenbereich: 897-899
ISSN: 2040-3364
Sprache: Englisch


Abstract


Zinc oxide thin-films are prepared either by spin coating of an ethanolic dispersion of nanoparticles (NP, diameter 5 nm) or by spray pyrolysis of a zinc acetate dihydrate precursor. High-resolution electron microscopy studies reveal a monolayer of particles for the low temperature spin coating approach and larger crystalline domains of more than 30 nm for the spray pyrolysis technique. Thin-film transistor devices (TFTs) based on spray pyrolysis films exhibit higher electron mobilities of up to 24 cm² V−1 s−1 compared to 0.6 cm² V−1 s−1 for NP based TFTs. These observations were dedicated to a reduced number of grain boundaries within the transistor channel.



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Faber, Hendrik
Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe)
Galli, Diana
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)
Halik, Marcus Prof. Dr.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Polymerwerkstoffe)
Klaumünzer, Martin
Lehrstuhl für Feststoff- und Grenzflächenverfahrenstechnik
Peukert, Wolfgang Prof. Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Feststoff- und Grenzflächenverfahrenstechnik
Spiecker, Erdmann Prof. Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Vieweg, Benito Dr.-Ing.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Elektronenmikroskopie)
Voigt, Michael Dr.
Lehrstuhl für Feststoff- und Grenzflächenverfahrenstechnik


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials
Interdisziplinäres Zentrum, Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy (CENEM)


Forschungsbereiche

B Nanoelectronic Materials
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials
A1 Functional Particle Systems
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials
A2 Nanoanalysis and Microscopy
Exzellenz-Cluster Engineering of Advanced Materials


Zitierweisen

APA:
Faber, H., Klaumünzer, M., Voigt, M., Galli, D., Vieweg, B., Peukert, W.,... Halik, M. (2011). Morphological impact of zinc oxide layers on the device performance in thin-film transistors. Nanoscale, 3(3), 897-899. https://dx.doi.org/10.1039/C0NR00800A

MLA:
Faber, Hendrik, et al. "Morphological impact of zinc oxide layers on the device performance in thin-film transistors." Nanoscale 3.3 (2011): 897-899.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-29-05 um 08:46