Freestanding 3C-SiC grown by sublimation epitaxy using 3C-SiC templates on silicon

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Hens P, Müller J, Wagner G, Liljedahl R, Yakimova R, Spiecker E, Wellmann P, Syväjärvi M
Zeitschrift: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 2012
Band: 717-720
Seitenbereich: 177-180
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Sprache: Englisch


Abstract


In this work a new approach for the production of freestanding cubic silicon carbide (3C-SiC) in (001) orientation is presented which is based on the combination of chemical vapor deposition (CVD) and the fast sublimation growth process (FSGP). Fast homoepitaxial growth of 3C-SiC using sublimation epitaxy on a template created by CVD growth on silicon substrates allows to obtain thick freestanding material with low defect densities. Using standard silicon wafers as substrate material permits a cost efficient process and the applying of wafers with different orientations. The (001) orientation used in this work will potentially allow further heteroepitaxial growth of other cubic semiconductors, like e.g. gallium nitride (GaN). © (2012) Trans Tech Publications.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Müller, Julian Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Spiecker, Erdmann Prof. Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Wellmann, Peter Prof. Dr.-Ing.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Interdisziplinäres Zentrum, Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy (CENEM)


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Linköping University


Zitierweisen

APA:
Hens, P., Müller, J., Wagner, G., Liljedahl, R., Yakimova, R., Spiecker, E.,... Syväjärvi, M. (2012). Freestanding 3C-SiC grown by sublimation epitaxy using 3C-SiC templates on silicon. Materials Science Forum, 717-720, 177-180. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.177

MLA:
Hens, Philip, et al. "Freestanding 3C-SiC grown by sublimation epitaxy using 3C-SiC templates on silicon." Materials Science Forum 717-720 (2012): 177-180.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-29-05 um 09:08