In-situ measurement of thickness-dependent Pendellosung oscillations from a precipitation process in silicon at 650 degrees C

Beitrag bei einer Tagung
(Konferenzbeitrag)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Will J, Gröschel A, Bergmann C, Magerl A
Jahr der Veröffentlichung: 2012
Band: 9
Heftnummer: 10-11
Seitenbereich: 1920-1923
ISSN: 1862-6351
eISSN: 1610-1642


Abstract


The time dependent agglomeration of oxygen in silicon at an annealing temperature of 650 degrees C is followed in-situ via the variation of the thickness-dependent Pendellosung fringes. The measurement of the 400-reflection of a wedge shaped sample with the characteristic tungsten K-alpha 1-line at 59.31 keV allows to observe changes of the static Debye-Waller factor of about 0.001%. Within the model of spherical precipitates and the classical theory of diffusion-driven precipitation we determine from this a diffusion constant 4.7x10(-15) cm(2)/s for oxygen in silicon at 650 degrees C which appears enhanced by a factor of 2.4 as compared to normal oxygen diffusion. (C) 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Bergmann, Christoph
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik
Gröschel, Alexander
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik
Magerl, Andreas Prof. Dr.
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik
Will, Johannes Dr.
Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik


Zitierweisen

APA:
Will, J., Gröschel, A., Bergmann, C., & Magerl, A. (2012). In-situ measurement of thickness-dependent Pendellosung oscillations from a precipitation process in silicon at 650 degrees C. (pp. 1920-1923).

MLA:
Will, Johannes, et al. "In-situ measurement of thickness-dependent Pendellosung oscillations from a precipitation process in silicon at 650 degrees C." 2012. 1920-1923.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2018-24-07 um 21:23

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