Understanding GaN/InGaN core-shell growth towards high quality factor whispering gallery modes from non-polar InGaN quantum wells on GaN rods.

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Tessarek C, Rechberger S, Dieker C, Heilmann M, Spiecker E, Christiansen SH
Zeitschrift: Nanotechnology
Jahr der Veröffentlichung: 2017
Band: 28
Heftnummer: 48
Seitenbereich: 485601
ISSN: 1361-6528


Abstract


GaN microrods are used as a basis for subsequent InGaN quantum well (QW) and quantum dot deposition by metal-organic vapor phase epitaxy. The coverage of the shell along the sidewall of rods is dependent on the rod growth time and a complete coverage is obtained for shorter rod growth times. Transmission electron microscopy measurements are performed to reveal the structural properties of the InGaN layer on the sidewall facet and on the top facet. The presence of layers in the microrod and on the microrod surface will be discussed with respect to GaN and InGaN growth. A detailed model will be presented explaining the formation of multiple SiN layers and the partial and full coverage of the shell around the core. Cathodoluminescence measurements are performed to analyze the InGaN emission properties along the microrod and to study the microresonator properties of such hexagonal core-shell structures. High quality factor whispering gallery modes with [Formula: see text] are reported for the first time in a GaN microrod/InGaN non-polar QW core-shell geometry. The GaN/InGaN core-shell microrods are expected to be promising building blocks for low-threshold laser diodes and ultra-sensitive optical sensors.



FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Dieker, Christel
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Heilmann, Martin
Lehrstuhl für Experimentalphysik (Optik)
Rechberger, Stefanie Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)
Spiecker, Erdmann Prof. Dr.
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)


Zusätzliche Organisationseinheit(en)
Graduiertenkolleg 1896/2 In situ Mikroskopie mit Elektronen, Röntgenstrahlen und Rastersonden
Interdisziplinäres Zentrum, Center for Nanoanalysis and Electron Microscopy (CENEM)
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Mikro- und Nanostrukturforschung)


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB)
Max-Planck-Institut für die Physik des Lichts (MPL) / Max Planck Institute for the Science of Light


Zitierweisen

APA:
Tessarek, C., Rechberger, S., Dieker, C., Heilmann, M., Spiecker, E., & Christiansen, S.H. (2017). Understanding GaN/InGaN core-shell growth towards high quality factor whispering gallery modes from non-polar InGaN quantum wells on GaN rods. Nanotechnology, 28(48), 485601. https://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aa9050

MLA:
Tessarek, Christian, et al. "Understanding GaN/InGaN core-shell growth towards high quality factor whispering gallery modes from non-polar InGaN quantum wells on GaN rods." Nanotechnology 28.48 (2017): 485601.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-29-05 um 08:22