Modeling of the PVT Growth Process of Bulk 3C-SiC - Growth Process Development and Challenge of the Right Materials Data Base

Beitrag in einer Fachzeitschrift
(Originalarbeit)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Schöler M, Schuh P, Steiner J, Wellmann P
Zeitschrift: Materials Science Forum
Jahr der Veröffentlichung: 2019
Band: 963
Seitenbereich: 157-160
ISSN: 0255-5476
eISSN: 1662-9752
Sprache: Englisch


Abstract

We report on the modeling of the temperature field and supersaturation
in front of the SiC crystal growth interface of a physical vapor
transport growth configuration. The data are compared with experimental
results, like the growth of free standing 3C-SiC wafers with a diameter
of 50 mm and a thickness of 870 µm. Special emphases is put on the
precise handling of the materials properties which include the
temperature dependency of the heat and electrical conductivity of the
graphite parts at temperatures above 2000 °C.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Schöler, Michael
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)
Schuh, Philipp
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)
Steiner, Johannes
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)
Wellmann, Peter Prof. Dr.-Ing.
Professur für Werkstoffwissenschaften (Werkstoffe der Elektrotechnik)


Zitierweisen

APA:
Schöler, M., Schuh, P., Steiner, J., & Wellmann, P. (2019). Modeling of the PVT Growth Process of Bulk 3C-SiC - Growth Process Development and Challenge of the Right Materials Data Base. Materials Science Forum, 963, 157-160. https://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.157

MLA:
Schöler, Michael, et al. "Modeling of the PVT Growth Process of Bulk 3C-SiC - Growth Process Development and Challenge of the Right Materials Data Base." Materials Science Forum 963 (2019): 157-160.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-14-08 um 10:23