An efficient Terahertz rectifier on the graphene/SiC materials platform

Beitrag in einer Fachzeitschrift

Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Schlecht MT, Malzer S, Preu S, Weber HB
Zeitschrift: Scientific Reports
Jahr der Veröffentlichung: 2019
Band: 9
ISSN: 2045-2322


We present an efficient Schottky-diode detection scheme for Terahertz (THz) radiation, implemented on the material system epitaxial graphene on silicon carbide (SiC). It employs SiC as semiconductor and graphene as metal, with an epitaxially defined interface. For first prototypes, we report on broadband operation up to 580 GHz, limited only by the RC circuitry, with a responsivity of 1.1 A/W. Remarkably, the voltage dependence of the THz responsivity displays no deviations from DC responsivity, which encourages using this transparent device for exploring the high frequency limits of Schottky rectification in the optical regime. The performance of the detector is demonstrated by resolving sharp spectroscopic features of ethanol and acetone in a THz transmission experiment.

FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Malzer, Stefan Dr.
Institut für Physik der Kondensierten Materie
Preu, Sascha Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Schlecht, Maria-Theresa
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Weber, Heiko B. Prof. Dr.
Lehrstuhl für Angewandte Physik


Licht-Materie-Wechselwirkung im Terahertz-Bereich (Dr. Malzer, Prof. Weber)
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Neue Materialien und Licht-Materie-Wechselwirkung
Forschungsschwerpunkt einer Fakultät: Naturwissenschaftliche Fakultät


Schlecht, M.-T., Malzer, S., Preu, S., & Weber, H.B. (2019). An efficient Terahertz rectifier on the graphene/SiC materials platform. Scientific Reports, 9.

Schlecht, Maria-Theresa, et al. "An efficient Terahertz rectifier on the graphene/SiC materials platform." Scientific Reports 9 (2019).


Zuletzt aktualisiert 2019-13-08 um 11:53