A Signal Source Chip at 140 GHz and 160 GHz for Radar Applications in a SiGe Bipolar Technology

Beitrag bei einer Tagung
(Konferenzbeitrag)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Völkel M, Thouabtia M, Breun S, Aufinger K, Weigel R, Hagelauer A
Jahr der Veröffentlichung: 2019
Sprache: Englisch


Abstract

In this paper, a monolithic signal source chip at
140 GHz and 160 GHz including two VCOs, a dynamic divider
and a static divider chain is presented. Two signal sources with
these high fundamental frequencies are realized. All components
have been designed using a 0.13μm 250 GHz fT SiGe BiCMOS
technology. The whole integrated circuit has a size of 930μm
x 600μm including bondpads and consumes 210mA from a
3.3V and 130mA from a 1.8V supply. The oscillators cover
a frequency range from 119.3–147.7 GHz and 154.2–164 GHz,
which results in a tuning range of 28.4 GHz and 9.8 GHz. A
output power of -0.9/3.6dBm with a best case phase noise of
-111.2/-108 dBc/Hz at 1MHz offset, measured at the divider
output for PLL stabilization is achieved.


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Breun, Sascha
Lehrstuhl für Technische Elektronik
Hagelauer, Amelie Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Technische Elektronik
Thouabtia, Mohamed
Lehrstuhl für Technische Elektronik
Völkel, Matthias
Lehrstuhl für Technische Elektronik
Weigel, Robert Prof. Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Technische Elektronik


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Infineon Technologies AG


Zitierweisen

APA:
Völkel, M., Thouabtia, M., Breun, S., Aufinger, K., Weigel, R., & Hagelauer, A. (2019). A Signal Source Chip at 140 GHz and 160 GHz for Radar Applications in a SiGe Bipolar Technology. In Proceedings of the MWSCAS. Dallas, US.

MLA:
Völkel, Matthias, et al. "A Signal Source Chip at 140 GHz and 160 GHz for Radar Applications in a SiGe Bipolar Technology." Proceedings of the MWSCAS, Dallas 2019.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-15-08 um 20:53