Experimental Considerations on Accurate fT and fmax Extraction for MOS Transistors Measured up to 110 GHz

Beitrag bei einer Tagung
(Konferenzbeitrag)


Details zur Publikation

Autor(en): Rimmelspacher J, Werthof A, Weigel R, Geiselbrechtinger A, Issakov V
Jahr der Veröffentlichung: 2019


FAU-Autoren / FAU-Herausgeber

Rimmelspacher, Johannes
Lehrstuhl für Technische Elektronik
Weigel, Robert Prof. Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Technische Elektronik


Autor(en) der externen Einrichtung(en)
Infineon Technologies AG


Zitierweisen

APA:
Rimmelspacher, J., Werthof, A., Weigel, R., Geiselbrechtinger, A., & Issakov, V. (2019). Experimental Considerations on Accurate fT and fmax Extraction for MOS Transistors Measured up to 110 GHz. In Proceedings of the Automated RF Techniques Group (ARFTG) Microwave Measurement Symposium. Orlando, FL, US.

MLA:
Rimmelspacher, Johannes, et al. "Experimental Considerations on Accurate fT and fmax Extraction for MOS Transistors Measured up to 110 GHz." Proceedings of the Automated RF Techniques Group (ARFTG) Microwave Measurement Symposium, Orlando, FL 2019.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-17-04 um 23:23