Experimental Considerations on Accurate fT and fmax Extraction for MOS Transistors Measured up to 110 GHz

Beitrag bei einer Tagung
(Konferenzbeitrag)


Details zur Publikation

Autorinnen und Autoren: Rimmelspacher J, Werthof A, Weigel R, Geiselbrechtinger A, Issakov V
Jahr der Veröffentlichung: 2019


FAU-Autorinnen und Autoren / FAU-Herausgeberinnen und Herausgeber

Rimmelspacher, Johannes
Lehrstuhl für Technische Elektronik
Weigel, Robert Prof. Dr.-Ing.
Lehrstuhl für Technische Elektronik


Einrichtungen weiterer Autorinnen und Autoren

Infineon Technologies AG


Zitierweisen

APA:
Rimmelspacher, J., Werthof, A., Weigel, R., Geiselbrechtinger, A., & Issakov, V. (2019). Experimental Considerations on Accurate fT and fmax Extraction for MOS Transistors Measured up to 110 GHz. In Proceedings of the Automated RF Techniques Group (ARFTG) Microwave Measurement Symposium. Orlando, FL, US.

MLA:
Rimmelspacher, Johannes, et al. "Experimental Considerations on Accurate fT and fmax Extraction for MOS Transistors Measured up to 110 GHz." Proceedings of the Automated RF Techniques Group (ARFTG) Microwave Measurement Symposium, Orlando, FL 2019.

BibTeX: 

Zuletzt aktualisiert 2019-17-04 um 23:23